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产品信息
杭州富阳奥星电子有限公司
Hangzhou Fuyang Dcean Electronic Co.,Ltd.
型号：C3998
NPN硅大功率三*管
封装形式：TO-*L
电特性：
*限值（除非另有规定 Tamb=
|
参 数 名 称 |
* 号 |
额 定 值 |
单 位 |
|
集电*—发射*电压 |
VCE0 |
800 |
V |
|
集电*—基*电压 |
VCBO |
1500 |
V |
|
发射*—基*电压 |
VEBO |
6 |
V |
|
集电*电流 |
IC |
25 |
A |
|
耗散功率 |
Pc |
250 |
W |
|
结 温 |
Tj |
150 |
℃ |
|
贮存温度 |
Tstg |
-55 ~ +150 |
℃ |
|
参 数 名 称 |
* 号 |
测 试 条 件 |
规 范 值 |
单位 | ||
|
*小 |
典型 |
*大 | ||||
|
集电*-基*截止电流 |
ICB0 |
VCB=800V,IE=0 |
— |
— |
1.0 |
uA |
|
发射*-基*截止电流 |
IEB0 |
VEB=4V,IC=0 |
— |
— |
1.0 |
uA |
|
集电*-发射*击穿电压 |
V(BR)CEO |
IC=100mA, IB=0A |
800 |
— |
— |
V |
|
直流电流增益 |
hFE1 |
Vce=5V Ic=1A |
8 |
— |
25 |
|
|
hFE2 |
Vce=5V Ic=20A |
4 |
— |
8 | ||
|
集电*-发射*饱和电压 |
VCE(sat) |
IC=20A, IB=5A |
— |
— |
5.0 |
V |
|
基 *-发射*饱和电压 |
VBE（sat） |
VCE=20V, IC=5A |
— |
— |
1.5 |
V |
|
a: 脉冲测试 | ||||||