无锡固电ISC 供应BD202三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应BD202三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

BD202

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -45V(Min)- BD202

-60V(Min)- BD204

·Complement to Type BD201/203

APPLICATIONS

·Designed for use in hi-fi equipment delivering an output

of 15 to 15 W into a 4Ωor 8Ωload.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER		VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	BD202	-60	V
		BD204	-60
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	BD202	-45	V
		BD204	-60
V_EBO	Emitter-Base Voltage		-5	V
I_C	Collector Current-Continuous		-8	A
I_CM	Collector Current-Peak t_p≤10ms		-12	A
I_CSM	Collector Current-Peak t_p≤2ms		-25	A
I_B	Base Current		-3	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃		60	W
T_J	JunctionTemperature		150	℃
T_stg	StorageTemperature Range		-65~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER		CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	BD202	I_C= -0.2A ;I_B= 0	-45		V
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	BD204	I_C= -0.2A ;I_B= 0	-60		V
V_(BR)CBO	Collector-BaseBreakdownVoltage		I_C= -1mA ;I_E= 0	-60		V
V_(BR)EBO	Emitter-BaseBreakdownVoltage		I_E= -1mA ;I_C= 0	-5		V
V_CE(sat)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage		I_C= -3A; I_B= -0.3A		-1.0	V
V_CE(sat)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage		I_C= -6A; I_B= -0.6A		-1.5	V
V_BE(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage		I_C= -6A; I_B= -0.6A		-2.0	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage		I_C= -3A ; V_CE= -2V		-1.5	V
I_CEO	Collector Cutoff Current		V_CE= -30V; I_B= 0		-0.2	mA
I_CBO	Collector Cutoff Current		V_CB= -40V;I_E= 0; T_J= 150℃		-1.0	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current		V_EB= -5V; I_C=0		-0.5	mA
h_FE	DC Current Gain	BD202	I_C= -3A ; V_CE= -2V	30
h_FE	DC Current Gain	BD204	I_C= -2A ; V_CE= -2V	30
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product		I_C= -0.3A ; V_CE= -3V, f_test= 1.0MHz	7.0		MHz
Switching Times
t_on	Turn-On Time		I_C= -2A; I_B1= -I_B2= -0.2A		1	μs
t_off	Turn-Off Time		I_C= -2A; I_B1= -I_B2= -0.2A		2	μs

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